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IXTH160N10T
IXTQ160N10T
200
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
180
160
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
120
100
80
80
60
150oC
60
40
T J = 150oC
25oC
- 40oC
40
20
20
0
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
250
200
150
T J = 150oC
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
C iss
1,000
100
C oss
C rss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse W idth - Seconds
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